晶合集成取得掩模图案相关专利, 优化掩模生成, 提升半导体加工质量

7月29日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“掩模图案的生成方法及装置、半导体结构及其制备方法”的专利，授权公告号CN121888938B，授权公告日为2026年7月28日。申请公布号为CN121888938A，申请号为CN202610345242.7，申请公布日期为2026年7月28日，申请日期为2026年3月20日，发明人桑华煜、程洋、汪华，专利代理机构北京三聚阳光知识产权代理有限公司，专利代理师李静玉，分类号H10W10/00、H10P76/40。

专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，公开了一种掩模图案的生成方法及装置、半导体结构及其制备方法，掩模图案的生成方法包括：识别原始掩模图案中是否存在弯曲区域；如果原始掩模图案中存在弯曲区域，则对原始掩模图案中的弯曲区域进行标记，以得到第一掩模图案；对第一掩模图案进行内缩处理，以得到第二掩模图案；去除第二掩模图案中未被标记的区域内的目标图形，以得到目标掩模图案，目标图形的尺寸小于预设尺寸。本发明可以避免将实际不满足去除条件的部分去除的情况，防止形成不规则缺陷图形，提升后续的半导体结构的加工质量。

晶合集成是国内领先的专注于晶圆代工的特色专业晶圆制造企业，2015年5月19日成立，2023年5月5日于上海证券交易所上市，注册地为安徽省合肥市，办公地跨安徽省合肥市与香港特别行政区。

晶合集成主营业务为12英寸晶圆代工业务，致力于研发并应用行业先进工艺，为客户提供多制程节点、不同工艺平台的晶圆代工服务，所属申万行业为电子-半导体-集成电路制造，覆盖MCU概念、集成电路、半导体产业等概念板块。

2025年，晶合集成实现营业收入108.85亿元，在所属7家同行业企业中排名第4，当期营收规模与行业中位数持平，低于行业平均166.12亿元，同期行业营收前两位分别为中芯国际673.23亿元、华虹宏力172.91亿元；营收结构中集成电路晶圆制造代工收入103.57亿元，占比95.14%，另有其他补充业务收入4.97亿元占比4.57%，其余业务收入3176.68万元占比0.29%。同年公司实现净利润4.66亿元，同样在7家同行业企业中位列第4，净利润规模与行业中位数持平，低于行业平均9.67亿元，同期行业净利润前两位分别为中芯国际72.09亿元、赛微电子13.88亿元。

指标类别

具体指标

晶合集成当期数值

行业排名/总家数

行业首位企业数值

行业第二位企业数值

行业平均数

行业中位数

经营业绩

营业收入

108.85亿元

中芯国际673.23亿元

华虹宏力172.91亿元

166.12亿元

108.85亿元

经营业绩

净利润

4.66亿元

中芯国际72.09亿元

赛微电子13.88亿元

9.67亿元

4.66亿元

营收构成

集成电路晶圆制造代工

103.57亿元，占比95.14%

元股证券:ygzq.hk

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营收构成

其他(补充)

4.97亿元，占比4.57%

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营收构成

其他

3176.68万元，占比0.29%

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合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种背照式图像传感器晶圆键合方法及背照式图像传感器发明专利公布CN202610976510.52026-07-02CN122476835A2026-07-28沈娅、许超、杨少华2测量混合键合强度的方法、监测机台稳定性的方法及系统发明专利公布CN202610970010.02026-07-01CN122476885A2026-07-28伍德超、陶磊、梁健3一种背照式图像传感器及其制作方法发明专利公布CN202610968214.02026-07-01CN122476695A2026-07-28张庆庆、谢荣源、宋明明、温海龙4半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202610967959.52026-07-01CN122476654A2026-07-28周同、王维安、程洋5一种金属硅化物的形成方法及半导体结构发明专利公布CN202610966312.02026-07-01CN122476658A2026-07-28刘苏涛6一种半导体器件及其制作方法发明专利公布CN202610966313.52026-07-01CN122476669A2026-07-28李燕、宋富冉、王淑娜、刘乃硕7半导体结构及其制作方法发明专利公布CN202610959576.32026-06-30CN122476903A2026-07-28魏榕、沐凡、韩壮壮、季小龙、张正8半导体结构及其制作方法发明专利公布CN202610959724.12026-06-30CN122476904A2026-07-28马亚强、张正、季小龙、韩壮壮、魏榕9一种半导体结构的制作方法发明专利公布CN202610953205.42026-06-30CN122476657A2026-07-28江道、林豫立、刘哲儒10一种半导体器件制备方法、半导体器件和图像传感器发明专利公布CN202610941777.02026-06-29CN122476834A2026-07-28伍德超、郝小强11曝光场间的对准标记及其形成方法、封测工艺发明专利公布CN202610902754.92026-06-23CN122431066A2026-07-21张传稳、陈晓妍、於飞飞12晶圆生产工艺流程管控方法、电子设备和存储介质发明专利公布CN202610902753.42026-06-23CN122453119A2026-07-24黄柱、檀明伟、沈统一、范夏玲13光掩模版设计图形的处理方法、处理装置及存储介质发明专利公布CN202610894083.62026-06-22CN122410885A2026-07-17殷诗淇、罗招龙、王康14半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202610893210.02026-06-22CN122438361A2026-07-21章航、郭哲劭、郭廷晃、薛翔、宋明15一种半导体结构的制作方法发明专利公布CN202610893494.32026-06-22CN122438556A2026-07-21牛苗苗、高志杰16一种晶圆键合方法及键合晶圆发明专利公布CN202610882602.72026-06-18CN122421814A2026-07-17伍德超、郝小强、梁健、张立弟、张天阳17半导体器件及其制备方法、芯片发明专利公布CN202610888879.02026-06-18CN122421383A2026-07-17宋明、郭哲劭、郭廷晃18一种二极管的测量结构、测量方法及集成电路发明专利公布CN202610873754.02026-06-17CN122396281A2026-07-14张立涛、姚子凤、张倩、方昕、郑启涛19一种半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202610874647.X2026-06-17CN122396131A2026-07-14周成20一种光刻胶膜层涂布情况的检测方法发明专利公布CN202610873529.72026-06-17CN122410902A2026-07-17张雅丽、赵志豪、黄玉、毛文龙21半导体结构、半导体存储器及其制作方法发明专利公布CN202610874649.92026-06-17CN122421333A2026-07-17庄鹏程、宋富冉、刘乃硕22半导体结构的制备方法及半导体结构发明专利公布CN202610859340.22026-06-15CN122396222A2026-07-14张会成、高志杰23文本识别方法、系统及存储介质发明专利公布CN202610856457.52026-06-15CN122392084A2026-07-14杨思磊、陈云飞、李飞24一种晶圆关键尺寸量测方法、系统及机台发明专利公布CN202610851078.72026-06-12CN122421738A2026-07-17余钿钿25一种OPC建模方法、系统及计算机可读存储介质发明专利公布CN202610822265.22026-06-09CN122386578A2026-07-14王康26晶圆的量测方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610813374.82026-06-08CN122349353A2026-07-07蒋智27一种半导体结构的制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610795445.62026-06-04CN122318838A2026-06-30马亚强、季小龙、张正、沐凡、韩壮壮28半导体制程异常处理方法、装置、设备、介质和程序产品发明专利实质审查的生效、公布CN202610795944.52026-06-04CN122333300A2026-07-03王佑祥29用于光阻沉积厚度的监控晶圆、监控方法和存储介质发明专利公布CN202610796173.12026-06-04CN122396285A2026-07-14陈弋轩30缺陷分类模型的建立方法以及缺陷分类方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610789298.12026-06-03CN122336446A2026-07-03李璐、张利强、杜悦珲、鄢志忠、李佛富、林今焕31一种SRAM最小工作电压的量测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610788371.32026-06-03CN122337290A2026-07-03沈洁、田志锋、刘波32半导体结构及其制备方法、半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610778881.22026-06-02CN122340888A2026-07-03张盖、南子昱、王雪33干法刻蚀系统、干法刻蚀方法以及半导体结构的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610757823.12026-05-29CN122314744A2026-06-30李文超、刘然、罗成、杨智强34MOM电容结构的SPICE模型的建立方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610759023.32026-05-29CN122311103A2026-06-30胡杰、张良宵、王晓辉、沈浩然35半导体结构及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610761688.82026-05-29CN122318267A2026-06-30张德培、周宁宁、王梦慧36晶圆清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610747037.32026-05-28CN122270072A2026-06-23刘苏涛、曹平37半导体工厂作业场景的安全预警方法、装置和设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610740384.32026-05-27CN122265950A2026-06-23毛周亮、徐旻芮、夏慧、颜传奇、黄世豪38栅极介质层的制备方法和半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610741566.22026-05-27CN122269774A2026-06-23周亚龙、朱海龙、晏荣伟、李嘉伦、罗承先39一种半导体结构的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610729686.02026-05-26CN122341196A2026-07-03李文超、杨智强、林子荏、张旭40半导体器件的外延层结构形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610719734.82026-05-25CN122248783A2026-06-19谢斌根、董宗谕41安全工作区量测方法、电子设备和可读存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610705221.12026-05-21CN122238814A2026-06-19刘家昌、陈帅、程文祥、汪小小42图像传感器及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610702601.X2026-05-21CN122248817A2026-06-19张鹏鹏、贾涛43接触孔缺陷检测方法、装置、设备、介质和程序产品发明专利实质审查的生效、公布CN202610694586.92026-05-20CN122218003A2026-06-16李璐、张利强、杜悦珲、鄢志忠、李佛富、林今焕44半导体缺陷智能分析方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610693288.82026-05-20CN122244026A2026-06-19杜悦珲、张利强、李璐、鄢志忠、李佛富、林今焕45半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610695713.72026-05-20CN122318270A2026-06-30魏巍、任大雅、李猛猛、唐鹏飞46一种半导体设备的参数化单元的选项的自动生成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610685344.32026-05-19CN122221790A2026-06-16前田圭司、伊藤真浩47集成功率器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610685210.12026-05-19CN122248782A2026-06-19周宁宁、王梦慧、陈信全48一种半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610677493.52026-05-18CN122227654A2026-06-16姜恒、李毅、施平49检索模型的训练方法、检索方法和电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610674244.02026-05-15CN122198022A2026-06-12张潇、郭雅静、萧礼明、张贺、蒋治纬50一种反应腔室的漏率监测方法、装置及半导体工艺设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610667786.52026-05-15CN122217543A2026-06-16王昆、周俊、刘志强、徐阳证券投资综合服务网站